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普通光学激光光学材料光测量光放大光脉冲光通信光谐振腔
光纤光学及波导光学设备及器件非线性光学量子光学物理基础波动和噪声研究方法
普通光学

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
激光

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光学材料

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光测量

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光放大

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光脉冲

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光通信

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光谐振腔

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光纤光学及波导

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
光学设备及器件

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
非线性光学

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
量子光学

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
物理基础

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
波动和噪声

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
  • 作为快速的模数转换器

 
研究方法

定义：
光通过诱导电导率控制的电学开关。

光导开关是一种电子开关，利用材料的光导性，即光照射时电导率增加。几乎所有的情况下都采用半导体材料，其中吸收的光（光子能量大于带隙能量）产生自由载流子，对电导率有贡献。常用的材料有掺铬的砷化镓，低温生长的砷化镓，铟磷，非晶硅和蓝宝石硅薄膜。为了降低开关的恢复时间（由光激发载流子的寿命决定），通常在低温下生长材料（然后快速淬灭过程），有些掺杂或者离子轰击来产生晶体缺陷。除了恢复时间，另一个重要的参数是带隙能量，暗电阻率和电击穿电阻。 
光导开关有以下不同的设计： 
  • 几毫米的体器件，甚至在端面包含电子接触几厘米长度，用于非常高电压时（有时大于100 KV） 
  • 微条型器件，间隙很小；间隙可以是直的或者互相交叉的，宽度在几微米到几十微米之间，用于低功率情况下，速度很快 
  • 滑动接触器件具有最高的速度，其中共面线中的两平行条间的一点被光照射到 
所有的这些器件都是金属-半导体-金属（MSM）类型。 
光导开关可以应用于很多用途： 
  • 用于光导取样，尤其用来测试高速集成电子回路（甚至在切割基片之前，由于只有在DC或者低频信号情况下才需要电子学接触） 
  • 用于产生太赫兹脉冲 
  • 通过直接将DC转化成RF，产生微波或者毫米波，可以同时得到连续波和脉冲模式（例如，通过采用一个冷冻的波形发生器） 
  • 用在光纤通信中作为高速光电探测器 
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